一、中微公司华南总部及半导体、泛半导体设备研发生产基地一期

建设单位：中微半导体设备（广州）有限公司

建设规模：项目拟投资约10亿元，其中固定资产总投资约5.5亿元，占地面积33333.33平方米，规划建筑面积58253.01平方米，容积率约2.57。主要内容：规划主体建筑为一整栋建筑（长150米、宽80米、高34米，含制造厂房、零件仓库、研发洁净室），一栋办公楼（长20米，宽80米，高34.5米）并配套动力站一座（长44米、宽22米、高34.5米，含部分仓库），及大宗气站场地一块（长30米、宽20米）。产品名称：Gen8.5代平板显示PECVD工艺设备（PECVD产品，刻蚀产品）设计生产能力：年产12-15台整机设备。

二、高端半导体制造用G5 级湿电子化学品概念验证及中试熟化平台

建设单位：佛山西陇化工有限公司

建设规模：建设一个高端半导体制造用G5级湿电子化学品概念验证及中试熟化平台。包括G5级湿电子化学品研发实验室和中试示范线的建设，以及配套的产品分析检测实验室的建设。

三、基于半导体光刻工艺的新一代RGB直接彩色发光硅基 Micro OLED 微显示屏项目产业化

建设单位：广州奥视技术有限公司

建设规模：基于半导体光刻工艺的RGB直接彩色发光硅基MicroOLED微显示屏产线的建设和运营，产品的硅基CMOS晶圆部分采用外协生产方式，其后在自建产线上进行核心关键工艺，如在硅基CMOS晶圆上进行有机发光材料的图案化光刻等。与目前处于全球垄断地位的索尼同类产品相比，在核心性能指标和良品率上高2-3倍，成本降低2倍，极具性能和成本优势。项目总投资30亿元，其中固定资产15亿元，土地和厂房建设投资5亿元、产线设备10亿元，其他运营费用、研发费用、流动资金投入预计15亿元。项目产能为500万片/年（针对1英寸屏），满产年产值35亿元，利润7亿元。

四、云浮全芯微DFN、QFN封装项目（一期）

建设单位：广东汉旗半导体有限公司

建设规模：项目租用厂房面积约2万m²，主要通过CP晶圆测试，晶圆切割、上芯、焊线、塑封、测试等生产流程，对DFN、QFN等电子元器件进行封装测试，达产后预计年封测量达到150亿只。

五、东莞市大尺寸金刚石薄膜制备和应用

建设单位：北京大学东莞光电研究院

建设规模：项目拟新建具备规模化生产能力的大尺寸金刚石薄膜材料产线，开发和引进大尺寸金刚石生长、剥离、检测及异质集成工艺线等相关设备。利用项目单位最新“革命性”技术完成大尺寸金刚石薄膜制备，氮化镓异质集成以及在算力芯片散热中的应用。本项目将成功突破大尺寸金刚石制备、加工的高难度与高成本瓶颈。推动金刚石材料在军事、民用等领域的应用，提升我国相关产业竞争力。

完整项目清单，添加：13358064333、17372890313