项目名称：广东省光电存算芯片研发中试线
项目单位：广州光电存算芯片融合创新中心
投资金额（万元）：20000
项目规模及内容：建设内容：本项目新建光子与光电子集成芯片研发中试平台，包含12吋硅基光电子集成工艺线、8吋通用加工工艺线、数个特色工艺“小线”以及“混合集成工艺线”共计8种工艺平台。该平台主要针对硅（Si）、氮化硅（SiN）、磷化铟（InP）、砷化镓（GaAs）基光电子芯片，开展涵盖了从芯片研发、芯片加工、芯片封装、芯片测试等全流程服务。平台工艺设备共计约110台（套）。建设规模：中试平台洁净面积约2653m2（包含回风夹道）。
项目名称：佛山半导体科技园
项目单位：佛山市南海纵横路桥建设投资有限公司
投资金额（万元）：35016.04
项目规模及内容：佛山半导体科技园项目规划用地面积为39359.21平方米，拟建约8.04万平方米载体，其中研发厂房2.00万平方米，净化厂房2.00万平方米，综合公共动力站0.60万平方米，产业载体-厂房共4栋约3.40万平方米，门卫室、垃圾中转站、库房等附属设施0.04万平方米，项目投入运营后，将针对符合半导体芯片设计、制造、载板、封装测试、模组开发等半导体、集成电路及其上下游电子信息，以及人工智能(工业机器人)、新材料、数字经济等产业方向的企业进行招商，对园区内的产业用房和配套用房进行出售或出租，以获得相应的经营收入。
项目名称：广东建艺正耀新能源科技有限公司年产3000吨单晶硅棒系列产品自动化生产线建设项目
项目单位：广东建艺正耀新能源科技有限公司
投资金额(万元)：16000
项目规模及内容：项目计划总投资16000万元，其中固定资产投资14600万元，项目资金主要用于厂房改造、购置半导体单晶炉等国内外先进智能生产线设备及引进先进工艺，形成单晶硅直径为200mm以上的单晶硅棒系列产品自动化生产线。项目建成达产后，预计达到年产3000吨半导体单晶硅棒生产能力。
项目名称：智能穿戴芯片升级及产业化项目
项目单位：珠海市杰理科技股份有限公司
投资金额（万元）：24268.68
项目规模及内容：本项目预计新增一批分析仪、服务器等设备，主要用于面向智能可穿戴等具有强大处理能力和兼容多版本规范的智能数传SoC芯片的研发。
项目名称：AIoT边缘计算芯片研发及产业化项目
项目单位：珠海市杰理科技股份有限公司
投资金额（万元）：18456.94
项目规模及内容：本项目预计新增一批分析仪、服务器等设备，主要用于AIoT边缘计算芯片的研发。
项目名称：丰稔芯片配套散热产品项目
项目单位：东莞市丰稔精密制造有限公司
投资金额（万元）：36000
项目规模及内容：占地面积23071平方米，建筑面积约80748.5平方米，主要建设内容包括研发设计楼、厂房等。建成后生产高端精密铜材散热产品、铝板散热产品、 特殊铝型材散热产品、纳米散热产品等，预计年产值7.5亿元。
项目名称：广东建艺正耀新能源科技有限公司年产3000吨单晶硅棒系列产品自动化生产线建设项目
项目单位：广东建艺正耀新能源科技有限公司
投资金额（万元）：16000
项目规模及内容：项目计划总投资16000万元，其中固定资产投资14600万元，项目资金主要用于厂房改造、购置半导体单晶炉等国内外先进智能生产线设备及引进先进工艺，形成单晶硅直径为200mm以上的单晶硅棒系列产品自动化生产线。项目建成达产后，预计达到年产3000吨半导体单晶硅棒生产能力。
项目名称：智能穿戴芯片升级及产业化项目
项目单位：珠海市杰理科技股份有限公司
投资金额（万元）：24268.68
项目规模及内容：本项目预计新增一批分析仪、服务器等设备，主要用于面向智能可穿戴等具有强大处理能力和兼容多版本规范的智能数传SoC芯片的研发。
项目名称：AIoT边缘计算芯片研发及产业化项目
项目单位：珠海市杰理科技股份有限公司
投资金额（万元）：18456.94
项目规模及内容：本项目预计新增一批分析仪、服务器等设备，主要用于AIoT边缘计算芯片的研发。
项目名称：丰稔芯片配套散热产品项目
项目单位：东莞市丰稔精密制造有限公司
投资金额（万元）：36000
项目规模及内容：占地面积23071平方米，建筑面积约80748.5平方米，主要建设内容包括研发设计楼、厂房等。建成后生产高端精密铜材散热产品、铝板散热产品、 特殊铝型材散热产品、纳米散热产品等，预计年产值7.5亿元。
项目名称：力子光电芯片封装及光引擎生产基地项目
项目单位：珠海力子光电科技有限公司
投资金额（万元）：3000
项目规模及内容：项目总投资预计3000万元，用于建设TO芯片封装和光引擎封装两大产线，设计生产能力5000万片/年，项目建成后预计带动就业岗位200个。预计投入高精度固晶机、全自动共晶贴片机、全自动焊线机、高精度智能分选装备、多路COB耦合机、插板机和COC老化系统等设备，最终达到高度自动化水平产线。建筑面积4500平方米，建设万级无尘生产车间及研发中心，形成研产销一体化产业基地。
项目名称：泛半导体装备及核心零部件项目
项目单位：佛山国创精密科技有限公司
投资金额（万元）：100000
项目规模及内容：项目占地80亩，主要新建机加工车间、测试中心等，占地面积约53644.88平方米，总建筑面积约34700.00平方米，建设规模为年产蒸镀机5套、镀膜机10套、物理气相沉积设备10套、分子束外延设备10套、电源1000套、真空泵1000套、阀门1000套。项目土地购置款6400万元。
项目名称：8英寸碳化硅外延工艺技术研发及产业化能力提升
项目单位：广东天域半导体股份有限公司
投资金额（万元）：23506
项目规模及内容：建设月产能5000片的8英寸SiC外延晶片生产线
项目名称：珠海英斯特科技有限公司先进传感器关键技术研发与产业化应用项目
项目单位：珠海英斯特科技有限公司
投资金额（万元）：2500
项目规模及内容：项目内容包括先进传感器关键技术研发与产业化应用，露点仪及流量计的研发及生产，露点仪生产规模1000至3000支/年，流量计生产规模300至600支/年，建筑面积1200平方米，设备共计5至8台。建筑面积:1200平方米占地面积:0.0平方米
项目名称：广东省科学院半导体研究所微纳加工平台建设项目
项目单位：广东省科学院半导体研究所
投资金额（万元）：1500
项目规模及内容：本项目主要从事半导体技术研发活动，年研发图形化薄膜200片；建设内容主要包括研发室、检测室、设备室、更衣室等，以及配套的公用辅助工程、环保工程等；建筑面积约201平方米，占地面积约186平方米；主要研发设备包括：1台电子束曝光机、1台有机清洗台、1台无机清洗台、1台匀胶通风橱、1台显微镜、以及1台台阶仪等。
项目名称：东莞秀博电子材料有限公司 显示及半导体材料项目
项目单位：东莞秀博电子材料有限公司
投资金额（万元）：10300
项目规模及内容：本项目拟在已建成1号厂房（甲类）内建设生产装置，拟在已建成原料罐区（甲类罐组、乙类罐组）、1号仓库（甲类）、3#仓库储存生产装置原材料及产品，公用工程及辅助设施均依托厂区内已建成设施，已建成建筑面积10747.741平方米，占地面积21998.49平方米。本项目为显示及半导体材料项目，产品年产能3122t/a，产品包括： LTOC（低温光学胶）、PSPI（光敏性聚酰亚胺）、OIM（有机绝缘层）、FLEXGLAS（硬化液）、PS（感光性间隙材料）。
项目名称：砺拓硅基新材料科技（广东）有限公司年产10000吨超高纯石英砂项目
项目单位：砺拓硅基新材料科技（广东）有限公司
投资金额（万元）：22000
项目规模及内容：项目计划总投资2.2亿元，占地面积约38786.67平方米，规划建筑面积约51000平方米，主要包括新建原料与破碎车间、制砂车间、选矿提纯主车间、产品库、化学物品存放库、试验中心、办公楼、污水处理站等。项目设置3条高纯石英砂生产线，预计年产1万吨高纯石英砂，主要以进口石英石原矿为原料，经破碎、煅烧水淬、制砂、磁选、酸浸、烘干、氯化焙烧、冷却包装等工序生产。拟购置破碎机、制砂机、鄂破、浮选机、磁选机、煅烧炉等设备。
项目名称：梅州高新区夸父电子材料（梅州）有限公司年产3000吨半导体电子专用材料生产新建项目
项目单位：夸父电子材料（梅州）有限公司
投资金额（万元）：5000
项目规模及内容：项目生产电子专用材料，产品主要应用于光刻胶及键合胶的生产、光刻机/蚀刻机等芯片制造设备部件的密封件、新能源汽车驱动电机的核心部件材料、高端FPC柔性电路板材料等。公司设计新建4条产线，设计生产能力3000吨/年。建设生产车间、分析室、研发室、原料仓库、成品仓库等，配套建设办公室，合计面积约2500平方米。合计总投资超5000万元。预计达成后，可实现年纳税80万元以上。
项目名称：梅州高新区广东聚源半导体科技有限公司RGB发光芯片项目
项目单位：广东聚源半导体科技有限公司
投资金额（万元）：30000
项目规模及内容：项目计划总投资30000万元，其中固定资产投资23875万元。项目购置全自动固晶机、全自动焊线机、分测系统等设备建设年产500亿粒发光芯片、200万张显示模组项目，项目投产后预计年产值20000万元，年税收520万元。
项目名称：菲高科技新型散热材料及半导体封装材料改扩建项目
项目单位：珠海菲高项目管理有限公司
投资金额（万元）：30200
项目规模及内容：本项目为老厂搬迁扩产改扩建项目，本项目建设生产散热材料及半导体封装材料，设计生产3亿只散热器件、半导体封装材料200万平方米。建设生产及配套设施、研发中心等，建筑面积约6万平方米。
项目名称：中星微可信视频感知处理器芯片设计项目
项目单位：中星微技术股份有限公司
投资金额（万元）：30000
项目规模及内容：项目属于集成电路芯片设计领域。项目利用现有建筑1000平米，购置IP、知识产权及EDA软件，设备购置费预计3988万元，测试化验加工费（包含流片费用）8600万元，开发面向保密视频监控的可信视频感知处理器芯片，该芯片基于国密加密、认证算法，融合国产自主视音频编解码标准（SVAC）、专用视频智能分析技术，突破嵌入式加密计算引擎、高效能结构化编解码、信源级涉密音视频数据内生安全等关键技术，解决了远程监管、生产协同、指挥调度等方面的保密管理难题。
项目名称：基于RDL中介层的2.5D先进封装技术升级和产能提升
项目单位：珠海天成先进半导体科技有限公司
投资金额（万元）：4000
项目规模及内容：本项目的建设规模是占地面积21414.25平方米、建筑面积48638.08平方米、投资总额4千万。 建设目标是针对基于RDL中介层的2.5D先进封装技术升级和产能提升。 研究内容是： （1）超窄线宽线距RDL工艺技术； （2）多层RDL工艺技术； 技术指标是： （1）集成芯片数量≥6； （2）RDL线宽线距≤4/6 μm； （4）RDL布线层数≥5层。 产能要求是新增基于RDL中介层的2.5D先进封装产品达3000片/月（12英寸晶圆）。
项目名称：基于国产玻璃基板先进封装工艺研发
项目单位：广州广芯封装基板有限公司
投资金额（万元）：52000
项目规模及内容：本项目新增投资5.2亿元，购置项目研发所需的生产研发设备，建设产品研发线1条。项目建成后，新增产能200片/月（折合12英寸）。本项目聚焦用于2.5D封装的玻璃基板研发，突破超高深宽比玻璃通孔加工技术、玻璃通孔金属化和电镀技术、玻璃通孔塞孔技术，开发玻璃封装基板，建立专业的玻璃基板产品研发线，实现高深宽比玻璃通孔（深宽比小于等于8:1）、玻璃基板产品加工，以满足CPU、GPU、HBM等核心IC器件先进封装的基板技术突破。
项目名称：高端晶圆处理设备及核心零部件研发及产业化项目
项目单位：广州芯知科技有限公司
投资金额（万元）：12000
项目规模及内容：项目主要对已建成的B4栋厂房共四层楼进行装修改造，装修涉及占地面积887.75平方米，建筑面积3685.46平方米。装修后主要用于高端晶圆处理设备及核心零部件的研发及生产，达产后年产光刻胶泵6000台、高纯供液系统5000台、划片机10台。拟购置高纯供液系统实验测试平台、显微镜等设备。
项目名称：基于Mini-LED背光显示、集成等关键技术的车载显示器件的开发及产业化
项目单位：惠州华星光电显示有限公司
投资金额（万元）：35000
项目规模及内容：惠州华星作为牵头单位组建产研用协同联合体，计划总投资3.5亿元，进行基于Mini-LED背光显示、集成等关键技术的车载显示器件的开发及产业化，重点攻克车载Mini LED背光显示技术光学架构方案及驱动架构方案，联合国产材料供应商完成车规级量子点膜材料开发并实现产业化，打通COB及COG技术供应链及工艺，推进Mini LED车载显示器件产业链上下游配套协同发展，打破国内产业零散状况，对关键技术及国产材料进行联合开发，最终实现规模化量产应用。项目周期：2024年1月-2026年3月。
项目名称：惠州恒锋2000套/年半导体器件专用设备制造项目
项目单位：惠州市恒丰智能装备有限公司
投资金额（万元）：1000
项目规模及内容：在太东科技园购买厂房，面积为1171平方米，用于生产半导体器件专用设备制造，产品有半导体金线焊线机升降机模块、拉料工作台、送线模块等。
项目名称：珠海芯试界半导体科技有限公司SOC芯片测试生产线建设
项目单位：珠海芯试界半导体科技有限公司
投资金额（万元）：7500
项目规模及内容：拟投资采购的核心设备包括各类、各型号的数字、模拟及SoC测试系统(即芯片测试机)33台，用于8-12英寸品圆量产测试的精密探针台20台，以及用于多种标准封装形式的IC成品测试分选机30台，编带机3台，六面检查机1台，晶圆紫外线记忆抹除机1台，及其他配套的的设备与软件。以进一步扩大芯片量产测试能力。此外，在现有基础上，进一步提升公司基于ERP+MES系统的数字化、精细化生产制造水平，促进制程工艺水平，过程管控能力、溺试程序研发能力的持续提升。
项目名称：兼容主流生态的大模型云端AI推理通用GPU芯片的关键技术研发与应用
项目单位：珠海芯天地微电子科技有限公司
投资金额（万元）：8000
项目规模及内容：兼容主流生态的大模型云端AI推理通用GPU芯片的关键技术研发与应用，将攻克开发超大规模AI芯片所必需的高速接口和互联技术（PCIe5 、INNOLINK、GDDR6X)、高性能渲染管线技术等核心关键“卡脖子”技术，开发适用于云端推理的超大规模AI芯片，实现在云端环境下大规模AI模型的高效推理和处理，提升我国在人工智能领域的技术实力。购买高速示波器、分析仪、误码仪等项目相关实验设备，芯片流片、封装、测试等费用。
项目名称：功成半导体功率器件项目
项目单位：广东功成半导体有限公司
投资金额（万元）：1000
项目规模及内容：半导体功率器件的研发与产业化，主要从事低压屏蔽栅SGT、高压超结SJ、沟槽栅场截止型IGBT、SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模块IPM、功率IC的设计和研发。
项目名称：皓极（珠海）半导体有限公司建设项目
项目单位：皓极（珠海）半导体有限公司
投资金额（万元）：1000
项目规模及内容：本项目位于珠海市高新区唐家湾镇金园一路6号2栋6层，建筑面积2059.92平方米。一期（本次）项目总投资1000万元，项目用于生产半导体封装检测用线针及悬臂针，设计生产能力包括线针1600万支/年以及悬臂探针1600万支/年。项目计划分多期建设，总投资2000万元（含一期投资1000万元），项目全部建设完成后的设计生产能力包括线针8000万支/年以及悬臂探针8000万支/年。项目位于一栋工业厂房的6楼，主要分设4种不同工艺的生产区,以及装配质检区、原料仓、成品仓库、危废暂存间等。(不涉及芯片生产)
项目名称：基于自研AI大电路模型的芯片后端EDA软件全链条开发项目
项目单位：珠海芯聚科技有限公司
投资金额（万元）：12000
项目规模及内容：完成芯片后端EDA软件全链条开发，推出自主研发的全球首款融合新一代神经网络、机器学习与云计算等前沿科技、可贯穿整个芯片后端设计与仿真流程的EDA软件。实现基于Transfomer架构大电路模型的全芯片级别一站式后端设计平台，以及基于分布式超大算力SPICE精度的仿真、验证、签核EDA软件的开发与商业化封装。项目兼容主流半导体工艺（180纳米到3纳米），支持100亿+数量级别的晶体管仿真，形成拥有自主知识产权的有效软件代码1000万行。
项目名称：基于新型相变存储技术的SoC芯片在人工智能领域应用研究及产业化
项目单位：极海微电子股份有限公司
投资金额（万元）：23200
项目规模及内容：项目总投入23200万元，其中123.3万元用于固定资产投资。 项目将开展基于新型相变存储技术的SoC芯片在人工智能领域应用研究及产业化。
项目名称：广东越海2.5D/3D TSV先进封装项目基础配套设施项目（一）
项目单位：广东越海三维集成技术有限公司
投资金额（万元）：10000
项目规模及内容：项目计划总投资10000万元，新建员工宿舍楼。建设内容包括员工宿舍及辅助用房、安全设施、消防设施、管理设施、生活服务设施及相应的建筑物，建筑面积12000平方米，占地面积1700平方米。
项目名称：广东工业大学大学城校区集成电路学院半导体微纳加工研发及服务平台建设项目外电增容
项目单位：广东工业大学
投资金额（万元）：1100
项目规模及内容：为加快推进集成电路制造人才培养，学校拟建设集微纳米加工和检测能力于一体的研发及公共服务平台，该平台需进行外电增容。本项目包括：改造原广工教学区二期总高压室1间，改造分高压室1间，改造专变房2间，保留原有专变房11间、低压配电房。拆除原有专用变压器2×800KVA，新建专用变压器2×2500KVA,保留原有专用变压器2×800+4×1000+4×1600KVA，外电增容合计：3400KVA。改造建筑面积300平方米，占地面积300平方米。
项目名称：半导体制备核心设备及封装工艺研发项目
项目单位：广东省新兴激光等离子体技术研究院
投资金额（万元）：61000
项目规模及内容：本项目符合《“十四五”国家信息化规划》，符合国家半导体产业发展的需求。项目建设总投资6.1亿元，占地约26500平米。项目研制超精密研磨抛光设备、国产化第三代半导体离子注入机和3D封装技术。拟建成第三代半导体离子注入机的生产线，解决离子源、低能束线、静电吸盘等关键部件的卡脖子问题，实现国产化替代；拟建成超精密研磨抛光设备相关生产线，突破超高精度元件和硬脆难加工材料的超精密研抛关键技术瓶颈；完成前期半导体制备流程，针对半导体封装采用创新的3D封装技术，解决巨量转移问题，实现量产。
项目名称：东莞市微致半导体材料有限公司中高端引线框架生产项目
项目单位：东莞市微致半导体材料有限公司
投资金额（万元）：1500
项目规模及内容：该项目利用高精密冲床利用物理冲切以及高精密化学蚀刻方法生产中高端引线框架半导体材料，利用全自动连续电镀设备进行表面处理，待项目满产后，预期年产量能达到200亿只以上，年产值达到2亿元以上。
项目名称：肇庆飞雪新材料有限公司集成电路超精密抛光液的开发与应用项目
项目单位：肇庆飞雪新材料有限公司
投资金额（万元）：5000
项目规模及内容：租赁室内场地1620平方米。主要产品为集成电路使用的超精密抛光液。其中年产能约为1500吨，主要设备为不锈钢反应釜。
项目名称：珠海京东方晶芯科技有限公司Mini/Micro LED COB显示产品扩产项目
项目单位：珠海京东方晶芯科技有限公司
投资金额（万元）：98654.77
项目规模及内容：项目租用园区现成厂房建设Mini/Micro LED COB直显产品生产线，包含7栋101(半层)计容面积5,777.00平方米、7栋201、301、401厂房各11,985.83平方米。本项目投资分两个阶段：第一阶段25年6月前预计厂建投资（包括服务和建筑工程）10396.61万元人民币，设备及技术投资（包括工厂设备、智能制造设备、开发和动力设备、物流关税等）27379.06万元人民币，进口设备投资52.17万美元；第二阶段27年12月前预计厂建投资1417.72万元人民币，设备及技术投资31158.8万元人民币，进口设备投资69.57万美元。
项目名称：广州丰江微电子有限公司集成电路封装引线框架扩产项目
项目单位：广州丰江微电子有限公司
投资金额（万元）：33000
项目规模及内容：项目占地面积11980平方米，总建筑面积42144平方米，主要建设一栋8层车间厂房、一栋7层员工宿舍楼、一栋3层配套楼。扩建生产半导体集成电路塑封引线框架生产线，组建国家级工程研发中心、高端精密模具加工中心。
项目名称：氮化镓、碳化硅半导体器件及模块的封装测试技术平台建设
项目单位：西安电子科技大学广州研究院
投资金额（万元）：5000
项目规模及内容：平台建设规模:两千平方米 主要内容:氮化镓和碳化硅半导体器件和模块的封装技术平台建设 产品名称:氮化镓和碳化硅半导体器件和模块的封装技术 设计生产能力:平台专注于氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的大功率模块封装技术，主要解决功率模块的封装结构、封装互连材料、模块寄生和散热管理四大技术难题。实验室每年最高可进行超过2000次的封装工艺测试和验证。 主要设备选型及技术标准:GaN MOSFET和SiC MOSFET
项目名称：第三代半导体离子注入机项目
项目单位：广东省新兴激光等离子体技术研究院
投资金额（万元）：20000
项目规模及内容：本项目符合《“十四五”国家信息化规划》，项目拟着力研制国产化第三代半导体离子注入机，解决离子源、低能束线、静电吸盘等关键部件的卡脖子问题，建成第三代半导体离子注入机的生产线，实现国产化替代。项目总投资2亿元，占地面积约1500平方米。
项目名称：开平市六英寸高阶功率半导体芯片生产项目
项目单位：开平市翠山湖建设发展有限公司
投资金额（万元）：168000
项目规模及内容：本项目建设一条六英寸高阶功率半导体芯片及器件生产线，主要产品是硅基高端功率芯片（MOSFET 及 IGBT），建成达产后将实现月产 5 万片晶圆的生产能力。项目占地50 亩，总建筑面积45200平方米，其中核心生产区10000平方米，新增工艺设备188台。总投资为 16.80亿元，启动期（2024年-2025年）投资6.54亿元。
项目名称：高端半导体掩膜版生产基地建设项目（二期）
项目单位：佛山清溢微电子有限公司
投资金额（万元）：29500
项目规模及内容：在现有厂房内，增加净化房面积，并购置半导体掩膜版的生产设备，项目总投资29500万元，其中固定资产投资28188.525万元，主要用于生产高端半导体用掩膜版，可实现年产1480张掩膜版。
项目名称：广东省集成电路创新中心
项目单位：广东省科学院半导体研究所
投资金额（万元）：24000
项目规模及内容：总投资2.4亿元，建设期5年，建设集成电路设计服务平台、集成电路应用创新平台、集成电路产业孵化平台等三大平台。聚焦集成电路设计关键共性技术研发，为集成电路设计企业和创新中心孵化的项目团队提供设计技术研发和技术咨询服务，承担设计服务业务的功能；针对系统整机和方案开发企业，开发用于协助企业开展应用方案研发的IC及分立器件的智能分类存储系统和云端支持系统，促进芯片国产化应用；降低中小微集成电路设计企业的创新成本和创业门槛，孵化和培育一批创新型集成电路设计企业，支持和支撑中小微集成电路设计企业技术创新。
项目名称：硅基OLED蒸镀设备项目
项目单位：深圳奥卓真空设备技术有限公司
投资金额（万元）：1000
项目规模及内容：硅基OLED蒸镀设备项目样机制成后预计2025年生产硅基OLED蒸镀设备2台。
项目名称：恒格微电子半导体晶圆等离子刻蚀设备，在线等离子除胶系统设备研产基地
项目单位：珠海恒格微电子装备有限公司
投资金额（万元）：60000
项目规模及内容：该项目主要建设为：( 一 ) 碳化硅刻蚀设备替代长期依赖进口的产品，由恒格专家团队合力开发的国产碳化硅刻蚀设备，采用创新技术，提高刻蚀速率及刻蚀均匀性，通过更换部分备件可满足TGV、TCV、TSV等工艺需求，解决半导体高端制造设备的“卡脖子”问题；（二）静电吸盘作为半导体装备的核心部件，长期被国外厂商垄断，公司研发出来静电吸盘，解决国产半导体高端装备核心零部件被“卡脖子”问题，并且研发出独特的设计，可以提高温度均匀性，满足日益严苛的工艺需求。
项目名称：晶圆级微光机电器件研发与中试平台新建项目
项目单位：湖大粤港澳大湾区创新研究院（广州增城）
投资金额（万元）：30000
项目规模及内容：项目建于香山雅苑南区湖大粤港澳大湾区创新研究院（广州增城），拟建设总面积3000平方米的微光机电器件研发验证与中试熟化平台，其中超净实验室2700平方米，超算机房300平方米。平台将购置电子束光刻机、高速激光直写设备、高分辨接触式光刻机、离子束镀膜与刻蚀、ICP刻蚀等泛半导体制造设备及搭建完整的标准软件库及平台管理系统。通过四年建设，形成具有定制开发、小批量交付能力的晶圆级微光机电器件研发验证与中试熟化平台，具备快速定制化的先进制造加工能力，有力支撑广东泛半导体相关的新兴产业及未来产业的发展。
项目名称：泛半导体装备产业服务平台项目
项目单位：广州智芯产业服务有限公司
投资金额（万元）：21800
项目规模及内容：项目用地面积约35亩，规划容积率不小于2.0，规划建筑面积约5.5万平方米，拟建设定制化厂房、高标准厂房以及员工宿舍等相关配套设施。
项目名称：广东省半导体集成电路先进制程及FDSOI技术可靠性检测中试平台
项目单位：锐立平芯微电子（广州）有限责任公司
投资金额（万元）：39860
项目规模及内容：平台建设面积约1000平方米，面向FDSOI集成电路的可靠性研究与测试，包括电迁移、辐照效应、热载流子效应等建立失效机理检测与分析能力。项目所需场地及厂务系统等工程由锐立平芯微电子（广州）有限责任公司在F1生产厂房按照工艺需求定制建设，由平台负责相关测试设备的安装与调试（包括二次配管配线）。平台对外提供半导体先进制程及FDSOI工艺相关的芯片测试服务，不从事芯片生产业务，无实际产能。
项目名称：源佳集成电路创芯智造项目（二期）
项目单位：中山市启源纺织印染有限公司
投资金额（万元）：58000
项目规模及内容：项目总占地面积为33403.4平方米，工业厂房及附属设施建筑面积约110000平方米，建成后开展多层电路板、高密度电路板（HDI）、柔性线路板、IC载板等研发及产业化活动，年生产销售线路板产品约300万平方米/年，包含刚性板、HDI板、柔性板、软硬结合板和IC载板；另设有SMT60万平方米/年、表面处理、精细化工、封装测试等。
项目名称：东莞通科汽车半导体总部及高端集成电路智能制造项目
项目单位：东莞市通科电子有限公司
投资金额（万元）：105000
项目规模及内容： 建设生产、研发、办公为一体的企业总部，主要包括千级万级净化车间、研发中心大楼及其他配套设施，组建省级重点实验室、省工程技术研究中心、省级企业技术中心、博士工作站、国家级CNAS实验室、国家级工程技术研究中心、半导体材料研发中心。
项目名称：唯是集成电路生成式人工智能检测设备生产项目
项目单位：广东唯是晶圆科技有限公司
投资金额（万元）：25000
项目规模及内容：占地面积2000平方米，建筑用面积约9000平方米（其中包含科研楼一），主要生产设备有光刻设备、贴膜设备和显影设备，项目建成达产后年产集成电路生成式人工智能检测设备150台。（不生产和不采用《产业调整指导目录（2024年本）》中的限制类、淘汰类产品和生产工艺及设备。）
项目名称：先进 SoC AI芯片研发与应用中心建设项目
项目单位：珠海互通微电子有限公司
投资金额（万元）：25000
项目规模及内容：紧跟国家集成电路及“中国制造2025”战略，瞄准高端SoC AI芯片设计制造的瓶颈问题，规划项目规模超两亿人民币，构建5000平方米场地，涵盖芯片架构设计、IP核研发、流片验证等环节，采用国际一流软硬件设施，资源配置高效合理。项目独创高性能低功耗处理器与神经网络加速器，并开发多场景适用的关键IP核，高效实现深度学习硬件化。预期成果将有力推动军工、安防、汽车电子等关键领域的智能化升级，强化国家信息技术安全根基。凭借一体化SoC AI芯片解决方案，项目将加快科研成果转化，有力驱动我国集成电路产业迈入高质量发展阶段。
项目名称：半导体晶圆静电卡盘及装备与芯片封装载板基材及装备的开发
项目单位：北京师范大学珠海校区
投资金额（万元）：15800
项目规模及内容：该项目是国家在电子信息及半导体材料领域的重大战略布局，符合我国十五五战略规划，是科技攻关技术首创。项目建设内容包括：①建筑面积2000平方，占地面积2000平米。建设成为国内一流电子信息材料及半导体装备平台，投资1800万元；②购买设备10台，投资6000万元；③研发芯片封装载板、半导体晶圆静电卡盘的全国产工艺和装备，投资8000万元。项目建成后能够实现我国在高性能柔性封装基材及半导体材料关键装备的技术瓶颈，提升我国的自主开发水平，突破国外的技术封锁，达到行业领先或国际先进水平等。
项目名称：洪启高端芯片分析检测平台新建项目
项目单位：洪启集成电路（珠海）有限公司
投资金额（万元）：30000
项目规模及内容：该项目是建设芯片的国产化分析检测服务平台，为了解决国家芯片领域里高端分析检测技术能力不够和产能不足的问题。符合十四五规划，实现科技自立自强的目标。在透射电子显微镜、二次离子质谱、扫描电容显微镜等分析检测技术上，攻关世界级技术难题，实现一系列技术创新。 项目总投资3亿元，主要建设内容包括： ①占地面积：3000平方，建设包括失效分析实验室、可靠性实验室和化学分析实验室。投资2千万元；②购买设备9台，投资2.7亿元；③研发TEM,SIMS,SCM等先进检测技术。
项目名称：广东工业大学大学城校区半导体微纳加工研发及服务平台建设项目
项目单位：广东工业大学
投资金额（万元）：4000
项目规模及内容：在大学城校区理学楼一层建设半导体微纳加工研发及服务平台实验室，实验室洁净等级百级~千级，总体改造面积约为1800平方米，其中洁净区域约1000平方米，配套设施用地约800平方米。平台预期将具备基于6英寸晶圆的硅工艺全流程制造能力，可制备各种自定义的半导体薄膜材料及器件、CMOS器件及电路等，满足集成电路领域微纳加工研发及服务平台需求。
项目名称：广东省微显示中试平台新建项目
项目单位：广东聚华新型显示研究院
投资金额（万元）：30000
项目规模及内容：广东省微显示中试平台的占地面积约1.6万平方米，其中VR/AR/MR车间2400平方米，微投影产品车间8000平方米、仓库、试验检测及办公管理区预计规划4000平方米。主要工作为虚拟现实产品的研发和生产验证，以及微投影LCD/DLP/LCOS光机产品的技术突破和生产验证，目前针对市场需求，以及产品制程工艺的特性要求，计划规划虚拟现实产品中试线3条，采用百级无尘室+万级无尘室生产，规划自动化设备49台;微投影中试线3条，采用百级无尘室+千级无尘室+万级普通防静电车间，规划自动化设备39台。
项目名称：鹤山桃源半导体产业园项目
项目单位：鹤山市源创发展有限公司
投资金额（万元）：90000
项目规模及内容：项目占地122147平方米（折合183.22亩），主要建设厂房200880平方米，危固仓储1375平方米，办公楼11400平方米，宿舍楼11400平方米以及必要的园区公用配套设施。
项目名称：江门全合精密电子有限公司(江门高新区)半导体晶圆测试板及HDI多层线路板生产项目
项目单位：江门全合精密电子有限公司
投资金额（万元）：60000
项目规模及内容： 半导体晶圆测试板及HDI多层线路板生产项目,主要工艺为江门全合精密自主研发,搭配国内一流设备生产。产能规模线路板140万平方米/年，半导体晶圆测试板36000片/年。年产值8亿。 本项目总投资6亿元，占地27亩，总建筑面积63000平方米，包括厂房、研发设计中心、宿舍、环保设施等。项目一期建成完全达产后，可解决当地就业人员约500人，创造年税收贡献约为1350万元。
项目名称：光电混合集成光传感芯片及其模组研发
项目单位：广东佰翎光电科技有限公司
投资金额（万元）：5250
项目规模及内容：项目面向光传感市场对光电集成芯片的需求，建设光电芯片研发中心。项目基于fabless模式，主要建设满足光电芯片及其模组的研发、设计、封测和小批量生产所需要的实验室，总面积1000平方米左右。项目建成后将具备先进的基于硅基和三五族半导体的光电混合集成芯片及其模组的设计能力，满足市场在纤维光学传感、自由空间激光传感、柔性材料光学传感等新兴光传感市场的光电芯片设计需求，并形成年销售10000片（套）芯片和模组的规模。
项目名称：广州康大职业技术学院扩建项目（黄埔区集成电路学院）
项目单位：广州康大职业技术学院
投资金额（万元）：75200
项目规模及内容：黄埔区集成电路学院办学用地约63亩，规划建筑面积约12万平方米。其中，人才公寓楼建筑面积17314平方米，学生宿舍楼18480平方米，实训及行政用房建筑面积约19419.03平方米，生活配套用房建筑面积约8182平方米，专家楼及裙楼12155.87平方米，架空层及地下室41100平方米。
项目名称：广东宝洪实业投资有限公司年产集成电路70万件产业项目
项目单位：广东宝洪实业投资有限公司
投资金额（万元）：56000
项目规模及内容：项目占地19176.02平方米，新建1#生产厂房、2#综合楼、3#固废仓、4#甲类库、5#门卫、6#门卫等建筑，总建筑面积24233.03平方米，新购光刻机、显影蚀刻机、干法蚀刻机、涂胶机等生产设备建设半导体掩膜版生产线，年产25120片掩膜版。
